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投資策略-碳化硅（SiC）行業深度：行業現狀、市場需求、產業鏈及相關公司深度梳理.pdf
- 24積分
- 2026/06/02
- 136
- 慧博智能投研
該文檔是對碳化硅（SiC）行業的深度研究報告。報告首先梳理了碳化硅行業的現狀，分析了其在全球及中國的發展階段、市場規模及增長驅動力。其次，深入探討了市場需求，重點評估了新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等下游應用領域對碳化硅器件的需求潛力。報告進一步詳細拆解了碳化硅產業鏈，涵蓋上游襯底、外延片制造，中游器件設計、晶圓制造，以及下游應用環節，并識別了產業鏈中的關鍵環節與核心價值點。最后，報告對相關上市公司進行了深度梳理，分析了主要企業的業務布局、技術實力及市場競爭力，為投資者提供全面的行業洞察與投資參考。
標簽：碳化硅 SiC 半導體材料
半導體行業SiC深度（二）：AI新主線，碳化硅SiC.pdf
- 4積分
- 2026/05/21
- 157
- 華西證券
本報告深入分析了碳化硅（SiC）行業在AI時代的新發展契機，指出AI電源、先進封裝及AR眼鏡等新應用正重塑SiC市場需求格局。首先，AI數據中心功耗激增推動800V高壓直流供電架構普及，基于SiC的固態變壓器（SST）因高效、緊湊及智能調控等優勢，成為AI電源關鍵組件，帶動行業景氣度反轉。多家產業鏈企業已推出SST產品并開始在數據中心落地。其次，車規市場SiC滲透率仍低，隨著800V車型普及及8英寸襯底產能釋放，車規市場仍有巨大增長空間。近期全球頭部企業大幅擴產8英寸FAB線，預計新增產能超240萬片，將刺激上游襯底及設備需求。最后，SiC在先進封裝和AR眼鏡領域展現巨大潛力。在CoWoS封裝...
標簽：半導體碳化硅 SiC
半導體行業SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選.pdf
- 7積分
- 2025/11/06
- 671
- 華西證券
半導體行業SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選。根據行家說三代半，9月2日，據中國臺灣媒體報道，英偉達正計劃在新一代GPU芯片的先進封裝環節中采用12英寸碳化硅襯底，最晚將在2027年導入。解決CoWoS封裝散熱問題成為AI算力芯片發展重要課題根據《高算力Chiplet的熱管理技術研究進展》，集成電路發展受到“功耗墻”的嚴重制約。英偉達和AMD在追求算力大幅提升的情況下，不得不繼續提高芯片功率。主流算力芯片基本標配CoWoS封裝，尤其英偉達算力芯片全部使用CoWoS封裝。因此我們認為AI算力芯片的發展亟需解決CoWoS封裝散熱的難題。SiC有望成為未來...
標簽：半導體 SiC 先進封裝
電子行業深度報告：AI DC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間.pdf
- 6積分
- 2025/11/05
- 357
- 東方證券
電子行業深度報告：AIDC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間。AIDC高壓、高效成為重要趨勢，HVDC、SST等供電新方案需求方向明確。從通算到智算，AIDC的電力需求激增，高壓、高效成為重要趨勢。現有供電鏈路包含多級AC/DC與DC/DC轉換，層層損耗讓效率降低，增加了故障點與維護負擔。隨著單機柜功耗的不斷提升，繼續采用傳統交流配電方案將推高下一代數據中心部署的資本支出和運營成本。因此，更高效、更緊湊、更智能的供電架構已成為迫切需求。基于提升數據中心供電效率的要求，英偉達聯合產業鏈伙伴提出使用800VHVDC供電架構，有望大幅提升供電效率、節省電費。進一步地，SST固態變壓器有望成為...
標簽： SiC GaN 半導體
芯聯集成研究報告：稀缺的一站式車規芯片平臺，SiC和模擬IC接力成長.pdf
- 6積分
- 2025/01/20
- 624
- 浙商證券
芯聯集成研究報告：稀缺的一站式車規芯片平臺，SiC和模擬IC接力成長。公司主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬IC、MCU的研發、生產、銷售，聚焦新能源車、工控和高端消費三大應用領域。在產業鏈日益內卷的背景下，公司基于獨特的系統代工模式，不斷“卷”技術、“卷”市場，與終端客戶建立深度合作，進而獲得多個重大客戶定點。這些新產品的全面客戶導入和大規模上量為公司未來幾年的高速增長提供強大動力和堅定信心。公司系統代工模式獨特，實現應用-設計-工藝完整閉環當前無論是新能源車還是風光儲領域，下游廠商之間的競爭也日益激烈，客戶對產品的迭代速度、差異化...
標簽：車規芯片 SiC 模擬IC
斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南.pdf
- 7積分
- 2024/06/12
- 518
- 華金證券
斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南。斯達半導聚焦于IGBT模塊/SiC為主的功率半導體領域，成功研發出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現進口替代。其中IGBT模塊產品超過600種，電壓等級涵蓋100V-3300V，電流等級涵蓋10A-3600A。產品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發電、SVG、白色家電等領域。受益于汽車電氣化持續推進，汽車電子成為半導體領域逆勢增長代表，800V平臺架構下對SiC功率電子器件需求增長明顯，為公司提供中長期強勁增長動力開啟第二成長曲線。技術領先&多領域覆蓋，打開新能源汽車/風光儲/工控需...
標簽： IGBT SiC
SiC行業深度報告：SiC東風已來，關注襯底與外延環節的材料+設備國產化機遇.pdf
- 9積分
- 2023/08/22
- 789
- 東吳證券
SiC行業深度報告：SiC東風已來，關注襯底與外延環節的材料+設備國產化機遇。SiC行業概況：第三代半導體材料性能優越，新能源車等場景帶動SiC放量。碳化硅（SiC）具有更高熱導率、高擊穿場強等優點，適用于制作高溫、高頻、高功率器件，新能源汽車是未來第一大應用市場，2027年新能源汽車導電型SiC功率器件市場規模有望達50億美元，占比高達79%，全球已有多家車企的多款車型使用SiC，例如特斯拉、蔚來、比亞迪等，SiC迎來上車導入期。SiC產業鏈70%價值量集中在襯底和外延環節，其中襯底、外延成本分別占整個器件的47%、23%，后道的器件設計、制造、封測環節僅占30%。SiC襯底：材料端良率提升...
標簽： SiC 碳化硅半導體
SIC半導體功率器件調研報告
- 25元
- 2023/03/08
- 809
- 其他
該文檔聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率器件領域的深度調研。SiC作為第三代半導體核心材料，具備高擊穿電場、高熱導率及高電子飽和速率等優異特性，廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、智能電網及工業電源等高壓高頻場景。報告通常涵蓋SiC產業鏈上下游分析，包括襯底制備、外延生長、器件制造及封裝測試環節；同時梳理全球及中國市場競爭格局，評估技術壁壘、產能擴張情況及主要廠商市場份額。核心價值在于揭示SiC功率器件在降本增效、提升系統能效方面的應用潛力，為投資者及相關企業提供行業趨勢研判、技術演進路線及投資機會參考。
標簽：半導體功率器件 SiC
功率半導體行業研究：IGBT方興未艾，SiC勢在必行.pdf
- 8積分
- 2022/08/08
- 1199
- 中航證券
功率半導體行業研究：IGBT方興未艾，SiC勢在必行。電動車核心器件，動力“CPU”供不應求：汽車電動化、智能化推動車規級IGBT成為增長最快的細分領域，遠超行業平均增速。受益于國內新能源車的高速發展，新能源車IGBT在2020年已成為中國IGBT第一大應用領域，占比約30%。全球主要功率半導體供應商陸續宣布漲價，毛利率得到顯著的提升。2021年行業經歷的缺貨行情仍在延續，頭部供應商明顯感受到供不應求的產能緊張狀況。高功率IGBT價值凸顯：大功率新能源車所使用的IGBT和碳化硅模塊附加值高，國內設計生產的IGBT目前在較低功率的80kw電機應用已逐漸成熟，并且在80kw...
標簽：功率半導體 IGBT SiC
半導體行業分析：市場空間巨大，SiC國產化趨勢加速.pdf
- 8積分
- 2021/11/08
- 1007
- 安信證券
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料：碳化硅材料的禁帶寬度大約為硅材料的三倍，且硅材料的極限溫度不足碳化硅材料的二分之一，這些物理特性使得碳化硅材料更好地應用于高壓、高溫環境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更輕、能量損耗更少。在高溫、高壓、高頻領域，碳化硅將逐步替代硅器件，如5G通訊基站、軌道交通、特高壓輸電、新能源汽車等領域。碳化硅優異的性能符合下游市場的新興需求，以新能源汽車為例，采用碳化硅器件可延長電動車的行駛里程、縮短電動車的充電時間以及擴大電池容量等，越來越多的新能源汽車企業布局碳化硅器件使用...
標簽：半導體 SiC
第三代半導體SIC行業投資機會分析：10年20倍成長.pdf
- 8積分
- 2020/09/20
- 3395
- 其他
本文檔對第三代半導體中的碳化硅（SIC）產業進行了深度剖析，重點分析了其過去十年的發展軌跡及未來巨大的成長空間。報告指出碳化硅作為爆發性的明星賽道，具有10年20倍的市場成長潛力。內容涵蓋碳化硅材料的技術特性、產業鏈上下游格局、主要應用場景（如新能源汽車、光伏儲能等）以及市場競爭態勢。通過歷史數據復盤與未來趨勢預測，探討該行業在功率半導體領域的核心地位及投資價值，旨在為投資者提供關于這一前沿科技賽道的全面認知與決策參考。
標簽：第三代半導體碳化硅 SIC
第三代半導體之SiC行業專題報告.pdf
- 8積分
- 2020/09/12
- 4755
- 方正證券
本報告聚焦于第三代半導體核心材料碳化硅（SiC）的研究框架。內容深入分析了SiC材料相較于傳統硅基半導體的技術優勢，包括高擊穿電場、高熱導率及高電子飽和漂移速度等特性，使其成為高壓、高頻、高溫應用場景下的理想選擇。報告詳細梳理了SiC產業鏈上下游結構，涵蓋襯底制備、外延生長、器件設計制造及封裝測試等關鍵環節。同時，結合全球及中國市場的供需格局，評估了SiC在新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域的滲透率提升趨勢。通過對比6英寸與8英寸晶圓的發展路徑，探討了產能擴張與技術迭代對成本下降的影響，為投資者提供SiC行業長期成長邏輯與投資機會的系統性研判。
標簽：第三代半導體 SiC 半導體
半導體行業深度報告：SiC 與 GaN 的興起與未來展望.pdf
- 8積分
- 2019/10/22
- 2750
- 其他
本報告深入分析了第三代半導體材料碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）的發展現狀、技術優勢及未來市場趨勢。報告詳細探討了SiC和GaN在功率器件領域的應用場景，包括新能源汽車、光伏儲能、充電樁及消費電子等關鍵賽道。核心內容包括：一是對比SiC/GaN與傳統硅基器件的性能差異，分析其在高壓、高頻、高溫環境下的技術壁壘與突破路徑；二是梳理全球及中國SiC/GaN產業鏈格局，涵蓋襯底、外延、器件制造及封裝測試等環節的競爭態勢；三是預測未來市場規模增長驅動因素，評估技術迭代對下游行業成本結構的影響，為投資者提供行業深度洞察。
標簽：半導體 SiC GaN
2024年深芯盟國產半導體前道設備+第三代半導體（SiC）設備調研分析報告.pdf
- 7積分
- 2025/10/20
- 104
- 深芯盟
2024年深芯盟國產半導體前道設備+第三代半導體（SiC）設備調研分析報告。“EDA/IP”是半導體這顆皇冠上的明珠，體量雖小但發揮的價值巨大。EDA和IP讓IC設計工程師設計出可以容納上千億個晶體管的復雜芯片，而晶圓和封測廠商則借助這些工具和材料提升量產良率，為IC設計客戶提供可靠質量且價格合理的芯片產品。因此，對EDA和IP這些細分產業進行分析，并對相關企業進行對比評估至關重要。深芯盟半導體產業研究部門的分析師團隊對全球和中國的EDA及IP企業和市場進行了縱深分析和橫向對比，發布了這份報告，主要內容包括全球EDA和IP市場及TOP3供應商、國產EDA和IP上市公司T...
標簽：半導體設備第三代半導體 SiC

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