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      芯聯(lián)集成研究報(bào)告:稀缺的一站式車規(guī)芯片平臺(tái),SiC和模擬IC接力成長(zhǎng).pdf

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      • 時(shí)間:2025/01/20
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      芯聯(lián)集成研究報(bào)告:稀缺的一站式車規(guī)芯片平臺(tái),SiC和模擬IC接力成長(zhǎng)。公司主要從事 MEMS、IGBT、MOSFET、模擬 IC、MCU 的研發(fā)、生產(chǎn)、銷 售,聚焦新能源車、工控和高端消費(fèi)三大應(yīng)用領(lǐng)域。在產(chǎn)業(yè)鏈日益內(nèi)卷的背景 下,公司基于獨(dú)特的系統(tǒng)代工模式,不斷“卷”技術(shù)、“卷”市場(chǎng),與終端客戶 建立深度合作,進(jìn)而獲得多個(gè)重大客戶定點(diǎn)。這些新產(chǎn)品的全面客戶導(dǎo)入和大規(guī) 模上量為公司未來(lái)幾年的高速增長(zhǎng)提供強(qiáng)大動(dòng)力和堅(jiān)定信心。

      公司系統(tǒng)代工模式獨(dú)特,實(shí)現(xiàn)應(yīng)用-設(shè)計(jì)-工藝完整閉環(huán)

      當(dāng)前無(wú)論是新能源車還是風(fēng)光儲(chǔ)領(lǐng)域,下游廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈,客戶對(duì) 產(chǎn)品的迭代速度、差異化性能、成本都有更高要求。公司的一站式系統(tǒng)代工解決 方案能夠很好契合行業(yè)趨勢(shì),對(duì)于下游客戶而言,主機(jī)廠在自研自制功率半導(dǎo)體 時(shí),需要一個(gè)能力強(qiáng)大但甘居幕后的“輔助”,幫助其實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的快速迭代以及 差異化競(jìng)爭(zhēng)。對(duì)于公司而言,系統(tǒng)代工模式能夠?qū)崿F(xiàn)與客戶更加緊密的合作綁 定,在產(chǎn)品研發(fā)階段就與客戶緊密配合,共同定義下一代產(chǎn)品,從而保持產(chǎn)品上 的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)以及擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

      第一成長(zhǎng)曲線硅基功率和MEMS:穩(wěn)健增長(zhǎng),公司行業(yè)地位突出

      芯聯(lián)集成起步于車規(guī)級(jí)產(chǎn)品,2020年公司車規(guī)IGBT芯片正式進(jìn)入量產(chǎn),而后隨著公 司產(chǎn)能的快速擴(kuò)張以及下游新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展,公司功率器件收入大幅提 升。在IGBT領(lǐng)域,公司是中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模最大的車規(guī)級(jí)IGBT制造基地之一,公 司在IGBT芯片的優(yōu)勢(shì)在于:1)公司產(chǎn)品迭代能力強(qiáng),產(chǎn)品性能全球領(lǐng)先;2) 公司系統(tǒng)代工模式更加貼近終端,因此公司能夠更快響應(yīng)客戶、更快輔助客戶迭 代產(chǎn)品,這也是當(dāng)前功率產(chǎn)能過(guò)剩背景下,公司產(chǎn)線稼動(dòng)率飽滿,市場(chǎng)份額持續(xù) 擴(kuò)大的原因;MEMS晶圓代工領(lǐng)域,公司排名全球第五,在國(guó)內(nèi)MEMS代工廠 中排名第一,此外,隨著汽車智能化和安全標(biāo)準(zhǔn)的不斷提升,MEMS傳感器在 汽車上的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,公司在車載MEMS產(chǎn)品研發(fā)方面持續(xù)發(fā)力,部分 產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn),全面助力汽車智能化發(fā)展。

      第二成長(zhǎng)曲線SIC MOS:國(guó)內(nèi)率先突破主驅(qū)應(yīng)用,技術(shù)和量產(chǎn)先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯

      為了提升新能源車的續(xù)航和充電速度,當(dāng)前800V 高壓車型密集上車,功率轉(zhuǎn)換 效率更高的SIC主驅(qū)成為標(biāo)配,SIC搭載車型已下探到20萬(wàn)以下市場(chǎng),市場(chǎng)規(guī) 模正在快速打開(kāi)。在供給端,SiC MOS的器件制造具備相當(dāng)高的壁壘:一方面 SiC器件商業(yè)化時(shí)間短,在性能以及成本上均在快速迭代,進(jìn)而對(duì)廠商技術(shù)能力 提出高要求,另一方面,SiC MOS絕大多數(shù)應(yīng)用都是在汽車主驅(qū)上,需要滿足 車規(guī)嚴(yán)格的質(zhì)量要求,并且還需要大批量和持續(xù)降本的能力,因此想要獲得客戶 信賴的門(mén)檻相當(dāng)高。在此背景下,公司技術(shù)和量產(chǎn)先發(fā)優(yōu)勢(shì)明確,在性能和良率 上均達(dá)到全球領(lǐng)先水平,自2023年量產(chǎn)平面柵SiC MOS以來(lái),公司成為國(guó)內(nèi)率 先突破主驅(qū)應(yīng)用的SiC MOS龍頭廠商。此外,公司還在積極推進(jìn)襯底尺寸從6 英寸轉(zhuǎn)8英寸、器件結(jié)構(gòu)從平面轉(zhuǎn)溝槽等新技術(shù)進(jìn)步,助力SIC MOS持續(xù)降 本,公司也獲得大量車廠/tier1定點(diǎn),SIC業(yè)務(wù)收入快速增長(zhǎng)。

      第三成長(zhǎng)曲線模擬IC:國(guó)內(nèi)稀缺且領(lǐng)先的BCD工藝平臺(tái),重點(diǎn)布局車載、AI 服務(wù)器等領(lǐng)域

      目前,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)集中在面向消費(fèi)類和工業(yè)級(jí)應(yīng)用的低壓BCD工藝技術(shù),高壓領(lǐng) 域較少實(shí)現(xiàn)突破。公司推出了業(yè)內(nèi)稀缺的BCD120V車規(guī)G0工藝平臺(tái)和55nm BCD工藝平臺(tái),業(yè)內(nèi)特有的高壓 BCD SOI、 BCD60V/120V+eflash以及IPS (BCD+MOS)集成方案工藝平臺(tái),主要應(yīng)用在車規(guī)、高端工控及計(jì)算中心等領(lǐng) 域。當(dāng)前,電動(dòng)化智能化浪潮來(lái)襲,車內(nèi)所需要的模擬IC數(shù)量和種類顯著增 加,但是模擬IC的國(guó)產(chǎn)化程度相當(dāng)?shù)?,在此背景下,公司除了?shí)現(xiàn)PIN TO PIN的快速替換之外,還提供創(chuàng)新的集成化芯片方案以及系統(tǒng)的一體化方案進(jìn)行差異 化布局,助力終端車廠降本增效。在AI服務(wù)器領(lǐng)域,公司攜手芯片設(shè)計(jì)合作伙 伴在電源管理芯片獲得重大定點(diǎn)。隨著產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)張以及訂單的釋放,2025 年公司的第三成長(zhǎng)曲線高壓模擬IC有望迎來(lái)新一輪爆發(fā)趨勢(shì)。

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