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半導體行業(yè)SiC深度（二）：AI新主線，碳化硅SiC.pdf
- 4積分
- 2026/05/21
- 157
- 華西證券
本報告深入分析了碳化硅（SiC）行業(yè)在AI時代的新發(fā)展契機，指出AI電源、先進封裝及AR眼鏡等新應用正重塑SiC市場需求格局。首先，AI數(shù)據(jù)中心功耗激增推動800V高壓直流供電架構(gòu)普及，基于SiC的固態(tài)變壓器（SST）因高效、緊湊及智能調(diào)控等優(yōu)勢，成為AI電源關(guān)鍵組件，帶動行業(yè)景氣度反轉(zhuǎn)。多家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已推出SST產(chǎn)品并開始在數(shù)據(jù)中心落地。其次，車規(guī)市場SiC滲透率仍低，隨著800V車型普及及8英寸襯底產(chǎn)能釋放，車規(guī)市場仍有巨大增長空間。近期全球頭部企業(yè)大幅擴產(chǎn)8英寸FAB線，預計新增產(chǎn)能超240萬片，將刺激上游襯底及設(shè)備需求。最后，SiC在先進封裝和AR眼鏡領(lǐng)域展現(xiàn)巨大潛力。在CoWoS封裝...
標簽：半導體碳化硅 SiC
半導體行業(yè)SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選.pdf
- 7積分
- 2025/11/06
- 671
- 華西證券
半導體行業(yè)SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選。根據(jù)行家說三代半，9月2日，據(jù)中國臺灣媒體報道，英偉達正計劃在新一代GPU芯片的先進封裝環(huán)節(jié)中采用12英寸碳化硅襯底，最晚將在2027年導入。解決CoWoS封裝散熱問題成為AI算力芯片發(fā)展重要課題根據(jù)《高算力Chiplet的熱管理技術(shù)研究進展》，集成電路發(fā)展受到“功耗墻”的嚴重制約。英偉達和AMD在追求算力大幅提升的情況下，不得不繼續(xù)提高芯片功率。主流算力芯片基本標配CoWoS封裝，尤其英偉達算力芯片全部使用CoWoS封裝。因此我們認為AI算力芯片的發(fā)展亟需解決CoWoS封裝散熱的難題。SiC有望成為未來...
標簽：半導體 SiC 先進封裝
電子行業(yè)深度報告：AI DC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間.pdf
- 6積分
- 2025/11/05
- 357
- 東方證券
電子行業(yè)深度報告：AIDC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間。AIDC高壓、高效成為重要趨勢，HVDC、SST等供電新方案需求方向明確。從通算到智算，AIDC的電力需求激增，高壓、高效成為重要趨勢。現(xiàn)有供電鏈路包含多級AC/DC與DC/DC轉(zhuǎn)換，層層損耗讓效率降低，增加了故障點與維護負擔。隨著單機柜功耗的不斷提升，繼續(xù)采用傳統(tǒng)交流配電方案將推高下一代數(shù)據(jù)中心部署的資本支出和運營成本。因此，更高效、更緊湊、更智能的供電架構(gòu)已成為迫切需求。基于提升數(shù)據(jù)中心供電效率的要求，英偉達聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈伙伴提出使用800VHVDC供電架構(gòu)，有望大幅提升供電效率、節(jié)省電費。進一步地，SST固態(tài)變壓器有望成為...
標簽： SiC GaN 半導體
芯聯(lián)集成研究報告：稀缺的一站式車規(guī)芯片平臺，SiC和模擬IC接力成長.pdf
- 6積分
- 2025/01/20
- 623
- 浙商證券
芯聯(lián)集成研究報告：稀缺的一站式車規(guī)芯片平臺，SiC和模擬IC接力成長。公司主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬IC、MCU的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，聚焦新能源車、工控和高端消費三大應用領(lǐng)域。在產(chǎn)業(yè)鏈日益內(nèi)卷的背景下，公司基于獨特的系統(tǒng)代工模式，不斷“卷”技術(shù)、“卷”市場，與終端客戶建立深度合作，進而獲得多個重大客戶定點。這些新產(chǎn)品的全面客戶導入和大規(guī)模上量為公司未來幾年的高速增長提供強大動力和堅定信心。公司系統(tǒng)代工模式獨特，實現(xiàn)應用-設(shè)計-工藝完整閉環(huán)當前無論是新能源車還是風光儲領(lǐng)域，下游廠商之間的競爭也日益激烈，客戶對產(chǎn)品的迭代速度、差異化...
標簽：車規(guī)芯片 SiC 模擬IC
斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南.pdf
- 7積分
- 2024/06/12
- 517
- 華金證券
斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南。斯達半導聚焦于IGBT模塊/SiC為主的功率半導體領(lǐng)域，成功研發(fā)出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現(xiàn)進口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V-3300V，電流等級涵蓋10A-3600A。產(chǎn)品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。受益于汽車電氣化持續(xù)推進，汽車電子成為半導體領(lǐng)域逆勢增長代表，800V平臺架構(gòu)下對SiC功率電子器件需求增長明顯，為公司提供中長期強勁增長動力開啟第二成長曲線。技術(shù)領(lǐng)先&多領(lǐng)域覆蓋，打開新能源汽車/風光儲/工控需...
標簽： IGBT SiC
SiC行業(yè)深度報告：SiC東風已來，關(guān)注襯底與外延環(huán)節(jié)的材料+設(shè)備國產(chǎn)化機遇.pdf
- 9積分
- 2023/08/22
- 789
- 東吳證券
SiC行業(yè)深度報告：SiC東風已來，關(guān)注襯底與外延環(huán)節(jié)的材料+設(shè)備國產(chǎn)化機遇。SiC行業(yè)概況：第三代半導體材料性能優(yōu)越，新能源車等場景帶動SiC放量。碳化硅（SiC）具有更高熱導率、高擊穿場強等優(yōu)點，適用于制作高溫、高頻、高功率器件，新能源汽車是未來第一大應用市場，2027年新能源汽車導電型SiC功率器件市場規(guī)模有望達50億美元，占比高達79%，全球已有多家車企的多款車型使用SiC，例如特斯拉、蔚來、比亞迪等，SiC迎來上車導入期。SiC產(chǎn)業(yè)鏈70%價值量集中在襯底和外延環(huán)節(jié)，其中襯底、外延成本分別占整個器件的47%、23%，后道的器件設(shè)計、制造、封測環(huán)節(jié)僅占30%。SiC襯底：材料端良率提升...
標簽： SiC 碳化硅半導體
功率半導體行業(yè)研究：IGBT方興未艾，SiC勢在必行.pdf
- 8積分
- 2022/08/08
- 1199
- 中航證券
功率半導體行業(yè)研究：IGBT方興未艾，SiC勢在必行。電動車核心器件，動力“CPU”供不應求：汽車電動化、智能化推動車規(guī)級IGBT成為增長最快的細分領(lǐng)域，遠超行業(yè)平均增速。受益于國內(nèi)新能源車的高速發(fā)展，新能源車IGBT在2020年已成為中國IGBT第一大應用領(lǐng)域，占比約30%。全球主要功率半導體供應商陸續(xù)宣布漲價，毛利率得到顯著的提升。2021年行業(yè)經(jīng)歷的缺貨行情仍在延續(xù)，頭部供應商明顯感受到供不應求的產(chǎn)能緊張狀況。高功率IGBT價值凸顯：大功率新能源車所使用的IGBT和碳化硅模塊附加值高，國內(nèi)設(shè)計生產(chǎn)的IGBT目前在較低功率的80kw電機應用已逐漸成熟，并且在80kw...
標簽：功率半導體 IGBT SiC
半導體行業(yè)分析：市場空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢加速.pdf
- 8積分
- 2021/11/08
- 1007
- 安信證券
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料：碳化硅材料的禁帶寬度大約為硅材料的三倍，且硅材料的極限溫度不足碳化硅材料的二分之一，這些物理特性使得碳化硅材料更好地應用于高壓、高溫環(huán)境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更輕、能量損耗更少。在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域，碳化硅將逐步替代硅器件，如5G通訊基站、軌道交通、特高壓輸電、新能源汽車等領(lǐng)域。碳化硅優(yōu)異的性能符合下游市場的新興需求，以新能源汽車為例，采用碳化硅器件可延長電動車的行駛里程、縮短電動車的充電時間以及擴大電池容量等，越來越多的新能源汽車企業(yè)布局碳化硅器件使用...
標簽：半導體 SiC

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