半導體行業SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選.pdf
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- 時間：2025/11/06
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半導體行業SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選。根據行家說三代半，9月2日，據中國臺灣媒體報道，英偉達正計劃在新一代GPU芯片的先進封裝環節中采用12英寸碳化硅襯底，最晚將在2027年導入。
解決CoWoS封裝散熱問題成為AI算力芯片發展重要課題
根據《高算力Chiplet的熱管理技術研究進展》，集成電路發展受到“功耗墻”的嚴重制約。英偉達和AMD在追求算力大幅提升的情況下，不得不繼續提高 芯片功率。主流算力芯片基本標配CoWoS封裝，尤其英偉達算力芯片全部使用CoWoS封裝。因此我們認為AI算力芯片的發展亟需解決CoWoS封裝散熱的難題。
SiC有望成為未來CoWoS發展中Interposer最優解
CoWoS核心價值在于interposer（中介層）的連通作用，Interposer當前與未來面臨熱管理、結構剛性等難題。根據北京大學、Nature等相關論文，當前的 Si和玻璃在材料特性上不及SiC與金剛石，而金剛石仍難以匹配芯片制造工藝，因此我們判斷，因為SiC在性能與可行性兩方面的優勢，有望成為未來CoWoS interposer的最適宜替代材料。
如CoWoS未來采用SiC，中國大陸SiC產業鏈有望重點受益
如CoWoS未來將Interposer替換為SiC，且如按CoWoS 28年后35%復合增長率和70%替換SiC 來推演，則30年對應需要超230萬片12吋SiC襯底，等效約為920萬 片6吋，遠超當前產能供給。而中國大陸SiC具備投資規模、生產成本、下游支持的三大優勢，未來有望重點受益。
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