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投資策略-碳化硅（SiC）行業(yè)深度：行業(yè)現(xiàn)狀、市場需求、產(chǎn)業(yè)鏈及相關(guān)公司深度梳理.pdf

24積分
2026/06/02
135
慧博智能投研

該文檔是對碳化硅（SiC）行業(yè)的深度研究報告。報告首先梳理了碳化硅行業(yè)的現(xiàn)狀，分析了其在全球及中國的發(fā)展階段、市場規(guī)模及增長驅(qū)動力。其次，深入探討了市場需求，重點評估了新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)μ蓟杵骷男枨鬂摿Α蟾孢M(jìn)一步詳細(xì)拆解了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，涵蓋上游襯底、外延片制造，中游器件設(shè)計、晶圓制造，以及下游應(yīng)用環(huán)節(jié)，并識別了產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)與核心價值點。最后，報告對相關(guān)上市公司進(jìn)行了深度梳理，分析了主要企業(yè)的業(yè)務(wù)布局、技術(shù)實力及市場競爭力，為投資者提供全面的行業(yè)洞察與投資參考。

標(biāo)簽：碳化硅 SiC 半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體行業(yè)SiC深度（二）：AI新主線，碳化硅SiC.pdf

4積分
2026/05/21
156
華西證券

本報告深入分析了碳化硅（SiC）行業(yè)在AI時代的新發(fā)展契機(jī)，指出AI電源、先進(jìn)封裝及AR眼鏡等新應(yīng)用正重塑SiC市場需求格局。首先，AI數(shù)據(jù)中心功耗激增推動800V高壓直流供電架構(gòu)普及，基于SiC的固態(tài)變壓器（SST）因高效、緊湊及智能調(diào)控等優(yōu)勢，成為AI電源關(guān)鍵組件，帶動行業(yè)景氣度反轉(zhuǎn)。多家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已推出SST產(chǎn)品并開始在數(shù)據(jù)中心落地。其次，車規(guī)市場SiC滲透率仍低，隨著800V車型普及及8英寸襯底產(chǎn)能釋放，車規(guī)市場仍有巨大增長空間。近期全球頭部企業(yè)大幅擴(kuò)產(chǎn)8英寸FAB線，預(yù)計新增產(chǎn)能超240萬片，將刺激上游襯底及設(shè)備需求。最后，SiC在先進(jìn)封裝和AR眼鏡領(lǐng)域展現(xiàn)巨大潛力。在CoWoS封裝...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 SiC

半導(dǎo)體行業(yè)SiC深度分析：先進(jìn)封裝，英偉達(dá)、臺積電未來的材料之選.pdf

7積分
2025/11/06
670
華西證券

半導(dǎo)體行業(yè)SiC深度分析：先進(jìn)封裝，英偉達(dá)、臺積電未來的材料之選。根據(jù)行家說三代半，9月2日，據(jù)中國臺灣媒體報道，英偉達(dá)正計劃在新一代GPU芯片的先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)中采用12英寸碳化硅襯底，最晚將在2027年導(dǎo)入。解決CoWoS封裝散熱問題成為AI算力芯片發(fā)展重要課題根據(jù)《高算力Chiplet的熱管理技術(shù)研究進(jìn)展》，集成電路發(fā)展受到“功耗墻”的嚴(yán)重制約。英偉達(dá)和AMD在追求算力大幅提升的情況下，不得不繼續(xù)提高芯片功率。主流算力芯片基本標(biāo)配CoWoS封裝，尤其英偉達(dá)算力芯片全部使用CoWoS封裝。因此我們認(rèn)為AI算力芯片的發(fā)展亟需解決CoWoS封裝散熱的難題。SiC有望成為未來...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 先進(jìn)封裝

電子行業(yè)深度報告：AI DC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間.pdf

6積分
2025/11/05
356
東方證券

電子行業(yè)深度報告：AIDC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間。AIDC高壓、高效成為重要趨勢，HVDC、SST等供電新方案需求方向明確。從通算到智算，AIDC的電力需求激增，高壓、高效成為重要趨勢。現(xiàn)有供電鏈路包含多級AC/DC與DC/DC轉(zhuǎn)換，層層損耗讓效率降低，增加了故障點與維護(hù)負(fù)擔(dān)。隨著單機(jī)柜功耗的不斷提升，繼續(xù)采用傳統(tǒng)交流配電方案將推高下一代數(shù)據(jù)中心部署的資本支出和運營成本。因此，更高效、更緊湊、更智能的供電架構(gòu)已成為迫切需求。基于提升數(shù)據(jù)中心供電效率的要求，英偉達(dá)聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈伙伴提出使用800VHVDC供電架構(gòu)，有望大幅提升供電效率、節(jié)省電費。進(jìn)一步地，SST固態(tài)變壓器有望成為...

標(biāo)簽： SiC GaN 半導(dǎo)體

芯聯(lián)集成研究報告：稀缺的一站式車規(guī)芯片平臺，SiC和模擬IC接力成長.pdf

6積分
2025/01/20
623
浙商證券

芯聯(lián)集成研究報告：稀缺的一站式車規(guī)芯片平臺，SiC和模擬IC接力成長。公司主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬IC、MCU的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，聚焦新能源車、工控和高端消費三大應(yīng)用領(lǐng)域。在產(chǎn)業(yè)鏈日益內(nèi)卷的背景下，公司基于獨特的系統(tǒng)代工模式，不斷“卷”技術(shù)、“卷”市場，與終端客戶建立深度合作，進(jìn)而獲得多個重大客戶定點。這些新產(chǎn)品的全面客戶導(dǎo)入和大規(guī)模上量為公司未來幾年的高速增長提供強(qiáng)大動力和堅定信心。公司系統(tǒng)代工模式獨特，實現(xiàn)應(yīng)用-設(shè)計-工藝完整閉環(huán)當(dāng)前無論是新能源車還是風(fēng)光儲領(lǐng)域，下游廠商之間的競爭也日益激烈，客戶對產(chǎn)品的迭代速度、差異化...

標(biāo)簽：車規(guī)芯片 SiC 模擬IC

斯達(dá)半導(dǎo)研究報告：積技以培風(fēng)，以IGBTSiC大翼將圖南.pdf

7積分
2024/06/12
517
華金證券

斯達(dá)半導(dǎo)研究報告：積技以培風(fēng)，以IGBTSiC大翼將圖南。斯達(dá)半導(dǎo)聚焦于IGBT模塊/SiC為主的功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，成功研發(fā)出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現(xiàn)進(jìn)口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V-3300V，電流等級涵蓋10A-3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機(jī)、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。受益于汽車電氣化持續(xù)推進(jìn)，汽車電子成為半導(dǎo)體領(lǐng)域逆勢增長代表，800V平臺架構(gòu)下對SiC功率電子器件需求增長明顯，為公司提供中長期強(qiáng)勁增長動力開啟第二成長曲線。技術(shù)領(lǐng)先&多領(lǐng)域覆蓋，打開新能源汽車/風(fēng)光儲/工控需...

標(biāo)簽： IGBT SiC

SiC行業(yè)深度報告：SiC東風(fēng)已來，關(guān)注襯底與外延環(huán)節(jié)的材料+設(shè)備國產(chǎn)化機(jī)遇.pdf

9積分
2023/08/22
789
東吳證券

SiC行業(yè)深度報告：SiC東風(fēng)已來，關(guān)注襯底與外延環(huán)節(jié)的材料+設(shè)備國產(chǎn)化機(jī)遇。SiC行業(yè)概況：第三代半導(dǎo)體材料性能優(yōu)越，新能源車等場景帶動SiC放量。碳化硅（SiC）具有更高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)點，適用于制作高溫、高頻、高功率器件，新能源汽車是未來第一大應(yīng)用市場，2027年新能源汽車導(dǎo)電型SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)50億美元，占比高達(dá)79%，全球已有多家車企的多款車型使用SiC，例如特斯拉、蔚來、比亞迪等，SiC迎來上車導(dǎo)入期。SiC產(chǎn)業(yè)鏈70%價值量集中在襯底和外延環(huán)節(jié)，其中襯底、外延成本分別占整個器件的47%、23%，后道的器件設(shè)計、制造、封測環(huán)節(jié)僅占30%。SiC襯底：材料端良率提升...

標(biāo)簽： SiC 碳化硅半導(dǎo)體

SIC半導(dǎo)體功率器件調(diào)研報告

25元
2023/03/08
808
其他

該文檔聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的深度調(diào)研。SiC作為第三代半導(dǎo)體核心材料，具備高擊穿電場、高熱導(dǎo)率及高電子飽和速率等優(yōu)異特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)及工業(yè)電源等高壓高頻場景。報告通常涵蓋SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游分析，包括襯底制備、外延生長、器件制造及封裝測試環(huán)節(jié)；同時梳理全球及中國市場競爭格局，評估技術(shù)壁壘、產(chǎn)能擴(kuò)張情況及主要廠商市場份額。核心價值在于揭示SiC功率器件在降本增效、提升系統(tǒng)能效方面的應(yīng)用潛力，為投資者及相關(guān)企業(yè)提供行業(yè)趨勢研判、技術(shù)演進(jìn)路線及投資機(jī)會參考。

標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC

功率半導(dǎo)體行業(yè)研究：IGBT方興未艾，SiC勢在必行.pdf

8積分
2022/08/08
1198
中航證券

功率半導(dǎo)體行業(yè)研究：IGBT方興未艾，SiC勢在必行。電動車核心器件，動力“CPU”供不應(yīng)求：汽車電動化、智能化推動車規(guī)級IGBT成為增長最快的細(xì)分領(lǐng)域，遠(yuǎn)超行業(yè)平均增速。受益于國內(nèi)新能源車的高速發(fā)展，新能源車IGBT在2020年已成為中國IGBT第一大應(yīng)用領(lǐng)域，占比約30%。全球主要功率半導(dǎo)體供應(yīng)商陸續(xù)宣布漲價，毛利率得到顯著的提升。2021年行業(yè)經(jīng)歷的缺貨行情仍在延續(xù)，頭部供應(yīng)商明顯感受到供不應(yīng)求的產(chǎn)能緊張狀況。高功率IGBT價值凸顯：大功率新能源車所使用的IGBT和碳化硅模塊附加值高，國內(nèi)設(shè)計生產(chǎn)的IGBT目前在較低功率的80kw電機(jī)應(yīng)用已逐漸成熟，并且在80kw...

標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 IGBT SiC

半導(dǎo)體行業(yè)分析：市場空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢加速.pdf

8積分
2021/11/08
1006
安信證券

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料：碳化硅材料的禁帶寬度大約為硅材料的三倍，且硅材料的極限溫度不足碳化硅材料的二分之一，這些物理特性使得碳化硅材料更好地應(yīng)用于高壓、高溫環(huán)境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更輕、能量損耗更少。在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域，碳化硅將逐步替代硅器件，如5G通訊基站、軌道交通、特高壓輸電、新能源汽車等領(lǐng)域。碳化硅優(yōu)異的性能符合下游市場的新興需求，以新能源汽車為例，采用碳化硅器件可延長電動車的行駛里程、縮短電動車的充電時間以及擴(kuò)大電池容量等，越來越多的新能源汽車企業(yè)布局碳化硅器件使用...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC

第三代半導(dǎo)體SIC行業(yè)投資機(jī)會分析：10年20倍成長.pdf

8積分
2020/09/20
3395
其他

本文檔對第三代半導(dǎo)體中的碳化硅（SIC）產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了深度剖析，重點分析了其過去十年的發(fā)展軌跡及未來巨大的成長空間。報告指出碳化硅作為爆發(fā)性的明星賽道，具有10年20倍的市場成長潛力。內(nèi)容涵蓋碳化硅材料的技術(shù)特性、產(chǎn)業(yè)鏈上下游格局、主要應(yīng)用場景（如新能源汽車、光伏儲能等）以及市場競爭態(tài)勢。通過歷史數(shù)據(jù)復(fù)盤與未來趨勢預(yù)測，探討該行業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心地位及投資價值，旨在為投資者提供關(guān)于這一前沿科技賽道的全面認(rèn)知與決策參考。

標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體碳化硅 SIC

第三代半導(dǎo)體之SiC行業(yè)專題報告.pdf

8積分
2020/09/12
4754
方正證券

本報告聚焦于第三代半導(dǎo)體核心材料碳化硅（SiC）的研究框架。內(nèi)容深入分析了SiC材料相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢，包括高擊穿電場、高熱導(dǎo)率及高電子飽和漂移速度等特性，使其成為高壓、高頻、高溫應(yīng)用場景下的理想選擇。報告詳細(xì)梳理了SiC產(chǎn)業(yè)鏈上下游結(jié)構(gòu)，涵蓋襯底制備、外延生長、器件設(shè)計制造及封裝測試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。同時，結(jié)合全球及中國市場的供需格局，評估了SiC在新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的滲透率提升趨勢。通過對比6英寸與8英寸晶圓的發(fā)展路徑，探討了產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)迭代對成本下降的影響，為投資者提供SiC行業(yè)長期成長邏輯與投資機(jī)會的系統(tǒng)性研判。

標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 SiC 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體行業(yè)深度報告：SiC 與 GaN 的興起與未來展望.pdf

8積分
2019/10/22
2749
其他

本報告深入分析了第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）的發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)優(yōu)勢及未來市場趨勢。報告詳細(xì)探討了SiC和GaN在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用場景，包括新能源汽車、光伏儲能、充電樁及消費電子等關(guān)鍵賽道。核心內(nèi)容包括：一是對比SiC/GaN與傳統(tǒng)硅基器件的性能差異，分析其在高壓、高頻、高溫環(huán)境下的技術(shù)壁壘與突破路徑；二是梳理全球及中國SiC/GaN產(chǎn)業(yè)鏈格局，涵蓋襯底、外延、器件制造及封裝測試等環(huán)節(jié)的競爭態(tài)勢；三是預(yù)測未來市場規(guī)模增長驅(qū)動因素，評估技術(shù)迭代對下游行業(yè)成本結(jié)構(gòu)的影響，為投資者提供行業(yè)深度洞察。

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN

2024年深芯盟國產(chǎn)半導(dǎo)體前道設(shè)備+第三代半導(dǎo)體（SiC）設(shè)備調(diào)研分析報告.pdf

7積分
2025/10/20
103
深芯盟

2024年深芯盟國產(chǎn)半導(dǎo)體前道設(shè)備+第三代半導(dǎo)體（SiC）設(shè)備調(diào)研分析報告。“EDA/IP”是半導(dǎo)體這顆皇冠上的明珠，體量雖小但發(fā)揮的價值巨大。EDA和IP讓IC設(shè)計工程師設(shè)計出可以容納上千億個晶體管的復(fù)雜芯片，而晶圓和封測廠商則借助這些工具和材料提升量產(chǎn)良率，為IC設(shè)計客戶提供可靠質(zhì)量且價格合理的芯片產(chǎn)品。因此，對EDA和IP這些細(xì)分產(chǎn)業(yè)進(jìn)行分析，并對相關(guān)企業(yè)進(jìn)行對比評估至關(guān)重要。深芯盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究部門的分析師團(tuán)隊對全球和中國的EDA及IP企業(yè)和市場進(jìn)行了縱深分析和橫向?qū)Ρ龋l(fā)布了這份報告，主要內(nèi)容包括全球EDA和IP市場及TOP3供應(yīng)商、國產(chǎn)EDA和IP上市公司T...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備第三代半導(dǎo)體 SiC

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