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電子行業深度報告：AI DC供電新方案有望助力SiCGaN打開成長空間。AI DC 高壓、高效成為重要趨勢，HVDC、SST 等供電新方案需求方向明確。從通 算到智算，AIDC 的電力需求激增，高壓、高效成為重要趨勢。現有供電鏈路包含多 級 AC/DC 與 DC/DC 轉換，層層損耗讓效率降低，增加了故障點與維護負擔。隨著 單機柜功耗的不斷提升，繼續采用傳統交流配電方案將推高下一代數據中心部署的 資本支出和運營成本。因此，更高效、更緊湊、更智能的供電架構已成為迫切需 求。基于提升數據中心供電效率的要求，英偉達聯合產業鏈伙伴提出使用 800V HVDC 供電架構，有望大幅提升供電效率、節省電費。進一步地，SST 固態變壓器 有望成為未來主流的供電系統變壓方案。SST 通過電力電子技術實現能量傳遞和電 力變換，與傳統變壓器比，SST 具有效率更高、電力品質更好、模塊化程度高、性 能穩定等優點，能大幅提升空間利用率和供電效率。SST 長期有望成為數據中心直 流供電變壓方案的最佳選擇，英偉達在 AI DC 白皮書中指出將 SST 方案作為遠期供 電架構主流技術方案。

部分投資者認為 SiC/GaN 行業未來成長空間可能有限。根據 Yole和灼識咨詢數據， 2024 年碳化硅在全球功率半導體中的滲透率為 4.9%；根據弗若斯特沙利文數據， 2023 年氮化鎵在功率半導體中的滲透率為 0.5%。由于碳化硅車型在新能源車領域 的滲透率逐步邁向較高水平等原因，部分投資者認為寬禁帶半導體未來需求成長空 間可能有限。

我們認為，HVDC、SST 等 AI DC 供電新方案對 SiC/GaN 器件需求提升，有望打開 產業成長空間。相比傳統硅基器件，寬禁帶半導體器件能提高電源功率密度，減小 變壓器體積。未來 HVDC 供電架構中，SST、DC-DC 電源等環節對 SiC/GaN 均具 有較強確定性需求。英偉達已經宣布與納微半導體、英諾賽科、英飛凌等多家 SiC/GaN 廠商合作。我們認為，SiC/GaN 在 AI DC 供電系統中的應用潛力尚未完全 挖掘，根據行家說三代半公眾號及納微半導體數據，到 2030 年應用于 800V HVDC 數據中心供電系統的SiC/GaN市場規模可達27億美元。未來，AI算力設施SiC/GaN 器件需求有望持續提升，打開產業成長空間。