斯達(dá)半導(dǎo)研究報告：積技以培風(fēng)，以IGBTSiC大翼將圖南.pdf

斯達(dá)半導(dǎo)研究報告：積技以培風(fēng)，以IGBTSiC大翼將圖南。斯達(dá)半導(dǎo)聚焦于IGBT模塊/SiC為主的功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，成功研發(fā)出全系列IGBT芯 片、FRD芯片和IGBT模塊，實現(xiàn)進口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓 等級涵蓋100V-3300V，電流等級涵蓋10A-3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車、 變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。受益于汽車電 氣化持續(xù)推進，汽車電子成為半導(dǎo)體領(lǐng)域逆勢增長代表，800V平臺架構(gòu)下對SiC功 率電子器件需求增長明顯，為公司提供中長期強勁增長動力開啟第二成長曲線。

技術(shù)領(lǐng)先&多領(lǐng)域覆蓋，打開新能源汽車/風(fēng)光儲/工控需求增量。斯達(dá)半導(dǎo)優(yōu)勢在 于IGBT模塊，主要覆蓋新能源汽車/風(fēng)光儲和工控領(lǐng)域。2013年斯達(dá)半導(dǎo)開始專 注新能源汽車IGBT模塊的研發(fā)，目前其IGBT電壓等級涵蓋范圍為100V-3300V， 率先實現(xiàn)第七代IGBT產(chǎn)品的研發(fā)。（1）車規(guī)IGBT模塊合計配套超200萬套主 電機控制器，歐洲一線Tier1開始大批量交貨。2023年，公司應(yīng)用于主電機控制 器的車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量，合計配套超過200萬套新能源汽車主電機控制器， 公司在車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進一步提高； 公司基于第七代微溝槽TrenchFieldStop技術(shù)的750V車規(guī)級IGBT模塊大批量裝 車，公司基于第七代微溝槽TrenchFieldStop技術(shù)的1200V車規(guī)級IGBT模塊新 增多個 800V 系統(tǒng)車型的主電機控制器項目定點，將對 2024年-2030年公司新能 源汽車 IGBT 模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。（2）風(fēng)光儲/工控：風(fēng)光儲業(yè)務(wù)快速 增長，產(chǎn)品在北美等海外市場批量裝機，工控領(lǐng)域已為多家國際企業(yè)正式供應(yīng)商。 公司已是國內(nèi)多家主流光伏逆變器、風(fēng)電逆變器企業(yè)主要供應(yīng)商，并且與頭部企業(yè) 建立了深入戰(zhàn)略合作關(guān)系，繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢為客戶提供更高功率、更高效率 解決方案。基于第七代微溝槽TrenchFieldStop技術(shù)的IGBT模塊在地面光伏電站 和大型儲能批量裝機，并在北美等海外電站批量裝機；1200V、650V大電流單管 已大批量應(yīng)用于工商業(yè)光伏和儲能，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。在工業(yè)控制領(lǐng)域，公司已 為國內(nèi)多家頭部變頻器企業(yè)IGBT模塊的主要供應(yīng)商，已是工控行業(yè)多家國際企業(yè) 正式供應(yīng)商。

五大優(yōu)勢加速SiC上車，率先卡位打造第二增長極。SiC上車可提供助力實現(xiàn)系統(tǒng) 小型化，增大汽車可用空間；導(dǎo)通及開關(guān)損耗減少，從而續(xù)航里程增加；減少汽車 重量，有利于輕量化；承受輸入功率大，電機扭矩更大，加速能力強；降低電池成 本提升續(xù)航里程，降低整車成本等五大優(yōu)勢。受益于汽車電氣化的持續(xù)推進，汽車 電子成為半導(dǎo)體領(lǐng)域逆勢增長的代表，800V平臺架構(gòu)下對SiC功率電子器件需求 增長明顯。受益于中國新能源汽車廠商近年來持續(xù)投放新車型，銷量同步快速增長 的雙核驅(qū)動，正帶動本土SiCMOS供應(yīng)商市占率穩(wěn)步提升，僅比亞迪、極氪、吉 利銀河、蔚來、理想、賽力斯這幾家車企，新能源乘用車SiCMOS主驅(qū)功率模塊 的國產(chǎn)化率已由2021年的31.89%提升至24Q1的65.57%。隨著各品牌車企合作 車型的上市和交付，斯達(dá)半導(dǎo)等國內(nèi)廠商的市占率有望進一步提升。斯達(dá)半導(dǎo)作為 國際領(lǐng)先功率器件廠商，在SiCMOS領(lǐng)域具有先發(fā)優(yōu)勢，2023 年，公司應(yīng)用于 新能源汽車主控制器的車規(guī)級SiCMOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時新增多個 使用車規(guī)級SiCMOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機控制器項目定點，將對公司2024-2030年主控制器用車規(guī)級SiCMOSFET模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。

募投項目有望于24年達(dá)使用狀態(tài)，拓展高壓功率/SiC器件，轉(zhuǎn)向Fabless+IDM 模式。2021年公司以非公開發(fā)行形式實際募集資金凈額34.77億元，用于高壓特 色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化/SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化/功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自 動化改造等項目。項目完成后，1）加快高壓特色工藝功率芯片領(lǐng)域的布局，豐富 公司產(chǎn)品線，滿足智能電網(wǎng)、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電行業(yè)對高壓功率芯片的市場需求； 2）向碳化硅芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)域拓展，從而達(dá)到優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，完善產(chǎn)品布局 的目的；3）預(yù)計形成年產(chǎn)30萬片6英寸高壓特色工藝功率芯片/年產(chǎn)6萬片6 英寸SiC芯片生產(chǎn)能力，新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)能力。