斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南.pdf

斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南。斯達半導聚焦于IGBT模塊/SiC為主的功率半導體領域，成功研發出全系列IGBT芯 片、FRD芯片和IGBT模塊，實現進口替代。其中IGBT模塊產品超過600種，電壓 等級涵蓋100V-3300V，電流等級涵蓋10A-3600A。產品已被成功應用于新能源汽車、 變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發電、SVG、白色家電等領域。受益于汽車電 氣化持續推進，汽車電子成為半導體領域逆勢增長代表，800V平臺架構下對SiC功 率電子器件需求增長明顯，為公司提供中長期強勁增長動力開啟第二成長曲線。

技術領先&多領域覆蓋，打開新能源汽車/風光儲/工控需求增量。斯達半導優勢在 于IGBT模塊，主要覆蓋新能源汽車/風光儲和工控領域。2013年斯達半導開始專 注新能源汽車IGBT模塊的研發，目前其IGBT電壓等級涵蓋范圍為100V-3300V， 率先實現第七代IGBT產品的研發。（1）車規IGBT模塊合計配套超200萬套主 電機控制器，歐洲一線Tier1開始大批量交貨。2023年，公司應用于主電機控制 器的車規級IGBT模塊持續放量，合計配套超過200萬套新能源汽車主電機控制器， 公司在車用空調、充電樁、電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高； 公司基于第七代微溝槽TrenchFieldStop技術的750V車規級IGBT模塊大批量裝 車，公司基于第七代微溝槽TrenchFieldStop技術的1200V車規級IGBT模塊新 增多個 800V 系統車型的主電機控制器項目定點，將對 2024年-2030年公司新能 源汽車 IGBT 模塊銷售增長提供持續推動力。（2）風光儲/工控：風光儲業務快速 增長，產品在北美等海外市場批量裝機，工控領域已為多家國際企業正式供應商。 公司已是國內多家主流光伏逆變器、風電逆變器企業主要供應商，并且與頭部企業 建立了深入戰略合作關系，繼續發揮技術領先優勢為客戶提供更高功率、更高效率 解決方案。基于第七代微溝槽TrenchFieldStop技術的IGBT模塊在地面光伏電站 和大型儲能批量裝機，并在北美等海外電站批量裝機；1200V、650V大電流單管 已大批量應用于工商業光伏和儲能，處于行業領先地位。在工業控制領域，公司已 為國內多家頭部變頻器企業IGBT模塊的主要供應商，已是工控行業多家國際企業 正式供應商。

五大優勢加速SiC上車，率先卡位打造第二增長極。SiC上車可提供助力實現系統 小型化，增大汽車可用空間；導通及開關損耗減少，從而續航里程增加；減少汽車 重量，有利于輕量化；承受輸入功率大，電機扭矩更大，加速能力強；降低電池成 本提升續航里程，降低整車成本等五大優勢。受益于汽車電氣化的持續推進，汽車 電子成為半導體領域逆勢增長的代表，800V平臺架構下對SiC功率電子器件需求 增長明顯。受益于中國新能源汽車廠商近年來持續投放新車型，銷量同步快速增長 的雙核驅動，正帶動本土SiCMOS供應商市占率穩步提升，僅比亞迪、極氪、吉 利銀河、蔚來、理想、賽力斯這幾家車企，新能源乘用車SiCMOS主驅功率模塊 的國產化率已由2021年的31.89%提升至24Q1的65.57%。隨著各品牌車企合作 車型的上市和交付，斯達半導等國內廠商的市占率有望進一步提升。斯達半導作為 國際領先功率器件廠商，在SiCMOS領域具有先發優勢，2023 年，公司應用于 新能源汽車主控制器的車規級SiCMOSFET模塊大批量裝車應用，同時新增多個 使用車規級SiCMOSFET模塊的800V系統主電機控制器項目定點，將對公司2024-2030年主控制器用車規級SiCMOSFET模塊銷售增長提供持續推動力。

募投項目有望于24年達使用狀態，拓展高壓功率/SiC器件，轉向Fabless+IDM 模式。2021年公司以非公開發行形式實際募集資金凈額34.77億元，用于高壓特 色工藝功率芯片研發及產業化/SiC芯片研發及產業化/功率半導體模塊生產線自 動化改造等項目。項目完成后，1）加快高壓特色工藝功率芯片領域的布局，豐富 公司產品線，滿足智能電網、軌道交通、風力發電行業對高壓功率芯片的市場需求； 2）向碳化硅芯片研發及產業化領域拓展，從而達到優化產品結構，完善產品布局 的目的；3）預計形成年產30萬片6英寸高壓特色工藝功率芯片/年產6萬片6 英寸SiC芯片生產能力，新增年產400萬片的功率半導體模塊生產能力。