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半導體行業SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選.pdf
- 7積分
- 2025/11/06
- 671
- 華西證券
半導體行業SiC深度分析：先進封裝，英偉達、臺積電未來的材料之選。根據行家說三代半，9月2日，據中國臺灣媒體報道，英偉達正計劃在新一代GPU芯片的先進封裝環節中采用12英寸碳化硅襯底，最晚將在2027年導入。解決CoWoS封裝散熱問題成為AI算力芯片發展重要課題根據《高算力Chiplet的熱管理技術研究進展》，集成電路發展受到“功耗墻”的嚴重制約。英偉達和AMD在追求算力大幅提升的情況下，不得不繼續提高芯片功率。主流算力芯片基本標配CoWoS封裝，尤其英偉達算力芯片全部使用CoWoS封裝。因此我們認為AI算力芯片的發展亟需解決CoWoS封裝散熱的難題。SiC有望成為未來...
標簽：半導體 SiC 先進封裝
斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南.pdf
- 7積分
- 2024/06/12
- 518
- 華金證券
斯達半導研究報告：積技以培風，以IGBTSiC大翼將圖南。斯達半導聚焦于IGBT模塊/SiC為主的功率半導體領域，成功研發出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實現進口替代。其中IGBT模塊產品超過600種，電壓等級涵蓋100V-3300V，電流等級涵蓋10A-3600A。產品已被成功應用于新能源汽車、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發電、SVG、白色家電等領域。受益于汽車電氣化持續推進，汽車電子成為半導體領域逆勢增長代表，800V平臺架構下對SiC功率電子器件需求增長明顯，為公司提供中長期強勁增長動力開啟第二成長曲線。技術領先&多領域覆蓋，打開新能源汽車/風光儲/工控需...
標簽： IGBT SiC
SiC行業深度報告：SiC東風已來，關注襯底與外延環節的材料+設備國產化機遇.pdf
- 9積分
- 2023/08/22
- 789
- 東吳證券
SiC行業深度報告：SiC東風已來，關注襯底與外延環節的材料+設備國產化機遇。SiC行業概況：第三代半導體材料性能優越，新能源車等場景帶動SiC放量。碳化硅（SiC）具有更高熱導率、高擊穿場強等優點，適用于制作高溫、高頻、高功率器件，新能源汽車是未來第一大應用市場，2027年新能源汽車導電型SiC功率器件市場規模有望達50億美元，占比高達79%，全球已有多家車企的多款車型使用SiC，例如特斯拉、蔚來、比亞迪等，SiC迎來上車導入期。SiC產業鏈70%價值量集中在襯底和外延環節，其中襯底、外延成本分別占整個器件的47%、23%，后道的器件設計、制造、封測環節僅占30%。SiC襯底：材料端良率提升...
標簽： SiC 碳化硅半導體

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