半導體設備行業專題報告：HBM，堆疊互聯，方興未艾.pdf
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- 時間：2024/11/20
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半導體設備行業專題報告：HBM，堆疊互聯，方興未艾。
堆疊互聯為HBM核心工藝
HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD測試三個環節：3D堆疊方式允許芯片在垂直方向上連接，大大增加了單 位面積內的存儲密度和帶寬，每一層通過硅通孔和微凸點互連技術與其他層連接，互聯技術尤為重要。
1）通孔：TSV系垂直堆疊核心工藝
深孔刻蝕設備：深孔刻蝕是 TSV 的關鍵工藝，目前首選技術是基于 Bosch 工藝的干法刻蝕； 銅填充設備：解決高深寬比微孔內的金屬化問題，提高互聯孔的可靠性，系整個 TSV 工藝里最核心、難度最大的工藝； CMP設備：TSV要求晶圓減薄至50μm甚至更薄，要使硅孔底部的銅暴露出來，為下一步的互連做準備。
2）鍵合：混合鍵合，未來可期
混合鍵合：混合鍵合互連方案滿足3D內存堆棧和異構集成的極高互連密度需求，并且可以顯著降低整體封裝厚度、更高電流負載 能力、更好熱性能。 臨時鍵合&解鍵合：為滿足TSV和三維堆疊型3D集成制造需求，減薄后晶圓厚度越來越薄，為了解決超薄晶圓的取放問題，業界 通常采用臨時鍵合與解鍵合技術。
3）測試：復雜結構提出更高要求
KGSD測試：主要包括邏輯芯片測試、動態向量老化應力測試、TSV測試、高速性能測試、PHY I/O測試以及2.5D SIP測試。
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