2026年度半導體設備行業策略：看好存儲&先進邏輯擴產，設備商國產化迎新機遇.pdf

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時間：2026/02/28
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2026年度半導體設備行業策略：看好存儲&先進邏輯擴產，設備商國產化迎新機遇。AI驅動先進邏輯與存儲擴產，資本開支進入新一輪上行周期。在AI算力需求爆發背景下，全球半導體設備市場規模持續創新高。先進邏輯端，FinFET向GAA/CFET演進，5nm及以下制程單位產能設備投資額顯著提升，單萬片/月產能投資額較28nm提升數倍；存儲端，HBM帶動DRAM高階制程升級，3D NAND向400層以上堆疊演進，單萬片產能投資額同步提升。中國大陸晶圓產能全球占比仍低于銷售占比，邏輯與存儲龍頭資本開支維持高位，疊加兩大存儲廠商上市融資在即，擴產動能具備持續性，支撐前道設備景氣度中長期上行。

制程迭代推動設備結構升級，刻蝕與薄膜沉積價值量提升。先進制程結構復雜化帶動圖形化環節投資強度提升。邏輯端GAA結構、存儲端高層數3D堆疊，對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及ALD等原子級沉積技術提出更高要求。刻蝕與薄膜沉積在前道設備中的價值占比位居前三，且隨制程演進呈提升趨勢。多重曝光、先進金屬材料替代及新型結構引入，使設備數量與工藝復雜度同步提升，設備投資呈現“技術節點越先進、單位投資越高”的乘數效應，核心平臺型設備商與細分龍頭有望持續受益。

外部制裁強化自主可控邏輯，國產替代進入加速階段。美國、荷蘭、日本持續強化對14nm及以下先進制程設備出口限制，中國大陸作為全球最大設備需求市場，進口依賴度較高的涂膠顯影、清洗、量檢測、光刻等環節國產化率仍低于25%。在政策支持與大基金三期落地背景下，國內晶圓廠擴產將更加傾向國產設備采購。測算顯示半導體設備整體國產化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，預計2025年達22%，仍具備廣闊提升空間。平臺型廠商覆蓋面擴大、技術持續突破，將在先進制程與先進封裝領域獲得更大份額。