兆易創新研究報告：存儲龍頭多元布局，深度受益AI+國產替代.pdf

兆易創新研究報告：存儲龍頭多元布局，深度受益AI+國產替代。布局存儲+MCU+傳感器，產品出貨量創出新高。兆易創新產品主要覆蓋 存儲、MCU、傳感器三大領域，其中 2024 年存儲收入占比 70%以上，公 司在 NOR Flash 領域全球市占率第二，SLC NAND 也逐步占據一定份額， DRAM 業務隨著三大原廠逐步退出+端側定制化方案的順利推進有望實現 較大增長。2024 年公司產品出貨量達到 43.62 億顆，同比增長 39.72%， 創出歷史新高，因行業下游市場需求有所回暖，客戶增加備貨，公司產品 在消費、網通、計算等多個領域均實現收入和銷量大幅增長。公司實現營 業收入 73.56 億元，同比增長 27.69%；公司歸母凈利潤回升至 11.03 億 元，同比增加 584.21%。

利基存儲格局優化，端側 AI 推動定制化需求增長。半導體存儲主要有 DRAM/NAND/Nor Flash 等，2023 年分別占比 54%/41%/2.5%，2024 年 全年 DRAM 和 NAND Flash 整體銷售收入達 1669.79 億美元，創造歷史新 高。兆易創新存儲產品主要為 NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM，公 司 2015-2024 年存儲收入 CAGR 約 26%，2024 年存儲收入 51.9 億元， 同比+27%，毛利率 40.3%，相比 2023 年的 33.0%顯著回暖 7.3pcts，創 2015-2024 年度新高。具體來看：

1）NOR Flash：兆易市占率第二，端側 AI 助力市場規模提升。NOR Flash 屬于通用型非易失性存儲芯片，在數據讀取效率方面具有顯著優勢。2023 年全球 NOR FLASH 市場規模約為 23 億美元，預計于 2028 年增長至約 35 億美元，2023-2028 年 CAGR 約 9%。短期看，AI 手機/PC 放量直接拉動 NOR Flash 用量；長期看，XR、AI 眼鏡等新興場景疊加汽車電子放量正打 開增量空間。從競爭格局看，華邦全球市占率第一，達 27%；兆易創新 NOR Flash 市場份額排名全球第二，達 23%，公司產品矩陣完善，覆蓋 512Kb 到 2Gb 的容量范圍，支持 1.2V、1.8V、3V、1.65~3.6V 以及 1.8V VCC & 1.2V VIO 等多種供電類型，并針對不同市場應用需求分別提供高 性能、低功耗、高可靠性、小封裝等多個產品系列。我們認為公司市占率 有望穩步提升，同時受益于端側 AI 帶來的市場規模增長。

2）SLC NAND：競爭格局優化，大陸廠商嶄露頭角。SLC NAND 高性能、 高可靠性的優點讓其在需要耐久度和高速的關鍵任務應用中受到歡迎。根 據華邦電子，2024 年 SLC NAND 市場規模為 12 億美元。隨著閃存行業向 高堆疊層數、大容量的 3D NAND 方向發展，三星、海力士、鎧俠、美光 等海外大廠將戰略重心轉移至 3D TLC NAND 和 3D QLC NAND 領域，SLC NAND 市場的競爭參與者數量減少，市場空間得以逐步釋放。國內市場中 SLC NAND 由中國臺灣的華邦和旺宏占據主導地位，與此同時，兆易創新 （2024 年市占率 4%）、東芯股份等大陸廠商也嶄露頭角，隨著海外巨頭 轉向主流 NAND 市場，國產化未來具備廣闊的增長空間。兆易創新 38nm 和 24nm 兩種制程全面量產，并正在以 24nm 為主要工藝制程，車規市場 實現突破。

3）DRAM：原廠逐步退出 DDR3&DDR4，端側定制化助力行業發展。利 基型 DRAM 涵蓋 DDR3、小容量 DDR4 及低功耗產品，2024 年全球利基 DRAM市場規模達到人民幣596億元。三星、SK海力士和美光等主要DRAM 制造商逐步計劃在 2025 年下半年終止 DDR3 和 DDR4 內存的生產，隨著 這些原廠逐步退出利基型市場，國產廠商的利基型 DRAM 制程逐漸成熟， 有望實現國產替代，兆易創新產品技術覆蓋度持續提升。