2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書.pdf
- 上傳者:簡****
- 時間:2025/05/27
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2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書。3D NAND通過橫向拓展和垂直堆疊以及架構優化,持續改善存儲密度。尤其在人工智能、大數據和云存儲等應用場景,高密度NAND Flash憑借其高性能、低功耗及更優的成本等綜合優勢,為高性能運算提供重要的存力支持。在消費類市場,高密度存儲順應電子元器件輕薄化趨勢,為智能手機和筆電提供了更薄更輕量化的設計支持,推動多折疊手機及超輕量筆電的發展。
隨著NAND Flash進入200層以上超高層時代,高縱比刻蝕和沉積的工藝復雜性增加。即便在雙堆棧架構下,單次也需要刻蝕更深的孔,高層NAND Flash發展面臨著高層數易錯位和溝道刻蝕偏離的挑戰,并且隨著多品硅通道總電阻增加,通道高度也對讀取電流構成了阻礙。因此,越來越多存儲原廠不再一味追求垂直堆疊的高層NAND,而是通過橫向拓展多層存儲孔密度、邏輯拓展單元存儲比特,以及采用雙晶圓鍵合架構,整體實現更優的NAND存儲密度和讀寫性能。
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