ASML深度報告：全球高端光刻領導者.pdf
- 上傳者：A*****
- 時間：2026/04/13
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ASML深度報告：全球高端光刻領導者。邏輯芯片方面，此前受限于晶體管架構從FinFET向GAA切換階段，EUV層數增長階段性停滯。GAA并不高度依賴EUV曝光，更多是DUV或其他加工步驟，因此切換階段EUV層數增長不顯著。且對于早期GAA芯片，主要優化目標集中在器件電控優勢、短溝道效應控制及良率學習，而EUV的價值通常在更進一步縮小金屬線寬時才顯現。GAA的切換預計2026年完成，且AI應用對PPA（功耗、性能、面積）的要求顯著高于傳統芯片，屆時制程迭代重心或將重新回到提升光刻強度。
存儲客戶擴大EUV需求。存儲客戶如SK海力士將投資重心轉移至第六代10nm級（1c）DRAM制程，EUV制程層數將隨之增加至6層。現行的第五代10nm級（1b）制程約采用4-5層EUV曝光。
因此，我們認為2026-2030年先進制程和存儲EUV制程層數或將進入上行通道。
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