半導體行業(yè)分析：25Q1設(shè)備和SoC等板塊增速較快，關(guān)注細分板塊景氣延續(xù)及國產(chǎn)替代趨勢.pdf

半導體行業(yè)分析：25Q1設(shè)備和SoC等板塊增速較快，關(guān)注細分板塊景氣延續(xù)及國產(chǎn)替代趨勢。25Q1 以來，受益于國補等政策刺激，下游部分客戶備貨效果顯現(xiàn)，如 SoC 等 環(huán)節(jié) 25Q1 收入增速較快；受益于訂單快速確認，以及新品加速放量等，設(shè)備 板塊整體收入維持同比快速增長態(tài)勢；另外，國內(nèi)存儲/模擬/材料/MCU 等細分 領(lǐng)域景氣度持續(xù)回暖。建議關(guān)注景氣周期邊際復蘇疊加創(chuàng)新加速的存儲/SoC/ 材料/模擬等板塊、受益于國內(nèi) AI 生態(tài)發(fā)展的國產(chǎn)算力芯片、受益于國產(chǎn)替代 進程的代工/設(shè)備/零部件等板塊，同時建議關(guān)注各科創(chuàng)指數(shù)和半導體指數(shù)核心成 分股。

4 月 A 股半導體指數(shù)跑贏中國臺灣半導體指數(shù)及費城半導體指數(shù)。4 月，半 導體（SW）行業(yè)指數(shù)+0.62%，同期電子（SW）行業(yè)指數(shù)-4.79%，費城半導 體指數(shù)/中國臺灣半導體指數(shù)-0.94%/-1.05%。

行業(yè)景氣跟蹤：部分消費類領(lǐng)域邊際轉(zhuǎn)暖，工業(yè)類需求整體復蘇仍然乏力。

1、需求端：部分消費電子行業(yè)需求復蘇，AI/汽車等驅(qū)動端側(cè)應(yīng)用創(chuàng)新。手機： 25Q1 全球/中國智能手機市場出貨量同比+1.5%/+3.3%，預計 25 年全球智能 手機出貨將小幅增長。關(guān)注 AI 應(yīng)用在本地設(shè)備的落地。PC：25Q1 全球 PC 出貨量同比+4.9%，IDC 預計 25 全年需求或面臨挑戰(zhàn)；關(guān)注包含 DeepSeek 模型等在內(nèi)的 AI 應(yīng)用對硬件終端廠商的發(fā)展驅(qū)動。可穿戴：25Q1 全球 AI 眼鏡出貨量同比+216%延續(xù)高增長，國內(nèi)手表、手環(huán)市場仍具備增長潛力， 關(guān)注今年 AI 眼鏡、耳機等的新品發(fā)布及國補帶動作用。XR：25Q1 全球 VR/AR 銷量同比-23%/持平，預計 25 年預計 2025 年仍為 VR 銷量小年，關(guān)注 AI+AR 類融合創(chuàng)新及對 AR 產(chǎn)品的帶動。服務(wù)器：信驊 4 月營收同比+69%/環(huán)比-7%， 北美主要云廠 2025 年 capex 指引保持樂觀。汽車：25M4 國內(nèi)乘用車銷量同 比增長，工信部出手剎停無序智駕宣傳；關(guān)稅方面預計整車出口受影響較小。

2、庫存端：手機鏈相對穩(wěn)定 PC 鏈環(huán)比仍有提升，功率類庫存望達周期峰值。 全球手機鏈芯片大廠 25Q1 庫存環(huán)比微降/庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比提升，PC 鏈芯片 廠商英特爾、AMD 25Q1 庫存和 DOI 環(huán)比上升，英特爾表示整個行業(yè)都采取 了更為保守的庫存策略，AMD 表示游戲廠商啟動庫存補貨周期。全球模擬芯 片廠商庫存 25Q1 環(huán)比仍有增長，TI 表示所有終端客戶庫存處于低位。功率 類芯片公司 25Q1 庫存環(huán)比微增，安森美表示 25Q2 有望是庫存周期的頂點。

3、供給端：臺積電加碼美國先進制程產(chǎn)線建設(shè)，存儲原廠 Capex 聚焦 HBM 等高端存儲器。1）邏輯端，臺積電保持 2025 年 380-420 億美金資本開支指 引不變，擬增投 1000 億美金加速美國先進制程 Fab 建設(shè)；UMC 指引 2025 年資本支出為 18 億美元，主要用于 12i P3 新廠產(chǎn)能爬坡；中芯國際 2024 年 資本開支 73.3 億美元，指引 2025 年同比持平，預計未來每年保持 5 萬片/月 12 英寸產(chǎn)能擴充節(jié)奏；華虹公司 25Q1 資本支出為 5.109 億美元，其中 4.782 億美元用于華虹制造，1840 萬美元用于華虹無錫，1430 萬美元用于華虹 8 英寸產(chǎn)線。25Q1 Fab9 開始爬坡，預計 2025 年中達到 2-3 萬片/月產(chǎn)能，年 底超 4 萬片/月，2026 年中達到約 7 萬片/月產(chǎn)能；2）存儲端，三星預計 2025 年 HBM 位元供應(yīng)量同比翻倍增長；美光 2024 財年資本支出為 81 億美元， 預計 2025 財年為 140±5 億美元，主要投資 1β和 1γnm 節(jié)點 DRAM；SK 海力士指引 2025 年資本開支同比增長有限，但用于 HBM 新產(chǎn)線基礎(chǔ)設(shè)施支 出預計同比顯著增長。