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電子行業專題：存儲行業景氣度持續上行，深度受益生成式AI產業浪潮。存儲芯片是半導體的重要品類，2024-2025 年市場規模有望快 速增長。據WSTS數據，2023年全球半導體市場規模約為5269億 美元，其中存儲器芯片市場規模約為923 億美元，占比約18%。 據2024 年 6 月份WSTS 預測數據，2024-2025 年全球半導體市場 規模為6112億、6874億美元，其中存儲芯片市場規模1632億、 2043 億美元，占比約27%、30%，增速遠高于其他半導體品類。

存儲產業經歷“美—>日—>韓”的變遷，未來十年是中國存儲 的黃金十年。全球存儲產業經歷了兩輪大的產業變遷，目前三星、 海力士、美光等扮演重要角色；2016年，隨著合肥長鑫、長江存 儲相繼成立，中國大陸參與全球大宗DRAM、NAND FLASH 產業角 逐。我們認為，DRAM和NAND FLASH作為半導體領域的兩個重要 大宗品，在眾多IC品類中屬于“單一大料號”，對資本開支要求 高，且制造屬性相對較強。隨著國內企業近幾年的技術持續攻關， 國家大基金等產業資本的重點扶持，且我國在手機、PC、新能源 汽車等終端領域構建的全球優勢，待國產存儲芯片的產品力達到 臨界點后，滲透率有望加速提升。

生成式AI對數據吞吐速度有剛性需求，HBM成為算力發揮的瓶 頸因素之一，HBM 的大幅擴產、對晶圓的高消耗會顯著擠壓傳統 DRAM產能。HBM成為算力芯片的帶寬瓶頸因素，海力士、三星、 美光正加大HBM3e/4等技術研發及擴產力度，美光稱在同一節點 生產同等容量的情況下，HBM3e內存對晶圓量的消耗是標準DDR5 的三倍。2024年5月份，高盛上調24-26年HBM市場規模預測值 到150億、230億、300億美元。

生成式AI在終端的落地，有望縮短手機、PC換機周期，且端 側單機存儲容量會顯著提升。根據集邦咨詢數據，23年手機/PC/ 服務器對DRAM消耗分別占比36.7%/12.5%/37.2%，單機平均容量 分別為6.2GB/10.6GB/611.2GB。20/21 年受疫情等因素影響，PC/ 手機迎來換機小高峰，至今大部分產品已到產品生命周期末端。

一方面，受換機周期、Windows新系統推出、AI賦能等因素影響， 終端設備的換機周期有望大幅縮短：近期，Morgan Stanley 預 測,PC換機周期樂觀估計從2023年的4.8年縮短至2026年的3.5 年，IPhone 的換機周期樂觀估計從2024年的4.8年縮短至26年 的4.0年。另一方面，單機存儲用量也會顯著增加：1B（10億） int8 精度(1 Byte)模型參數在未壓縮情況下，僅存儲即需要1GB DRAM，手機廠商研發模型參數在數十至數百億間。根據產業調研 情況，蘋果AI功能對DRAM的要求或許是至少8GB/單機，安卓手 機旗艦機型普遍高于12GB/單機，AI PC有望提升至32GB/單機。 同時，生成式 AI 對訓練及推理生成數據量需求提升，也會增加 NAND Flash 用量提升；耳機、手表、AR眼鏡等AIOT設備的滲透 率有望提升，NOR Flash等用量也會增加。

存儲產業的投資邏輯，總結如下：1）供給側：一是龍頭企業下 行期虧損嚴重，盈利意愿強，減產效果明顯；二是HBM等結構性 擴產并擠壓部分傳統產能，DDR5滲透率提升，以及CXL、存算一 體等新技術方向。2）需求側：一是AI服務器對HBM等需求增量 明顯，二是手機/PC換機周期縮短、AIoT滲透率提升且單機用量 增加。3）國產品牌競爭力迅速提升，設計、制造、模組、分銷等 全產業鏈條的國產替代進程有望加速。