半導體存儲行業研究報告：AI&車載新需求有望開啟存儲新周期，供給側收緊，需求側放量.pdf

半導體存儲行業研究報告：AI&車載新需求有望開啟存儲新周期，供給側收緊，需求側放量。半導體最大細分市場之一，DRAM 和 NAND Flash 為核心品類。半導體存儲 器是以半導體電路作為媒介的存儲器，2022 年全球半導體存儲器市場規模約 1344 億美元，占集成電路市場份額約 23%，是僅次于邏輯芯片的第二大半導 體細分市場。憑借高存儲密度和相對低廉的成本優勢，DRAM 和 NAND Flash 成為存儲芯片市場核心產品，合計占存儲芯片市場份額 95%以上。 DRAM 采取了制程推進和新技術并舉的發展思路，3D DRAM、HBM 等新興 技術層出不窮；而 NAND Flash 聚焦 3D 堆疊技術和架構改良提升存儲密度， 現階段主流廠商量產的 NAND 產品層數已至 200+，同時領先廠商采用 CuA/PuC 等改良架構，提升存儲單元的面積利用率亦可提升 NAND 性能。

需求端：PC&手機基本盤穩健，AI&汽車驅動新一輪產業行情。存儲市場規 模波動與新電子產品快速滲透、舊電子產品代際更迭密切聯系，總體呈現出 螺旋式上升的趨勢，自上世紀 90 年代以來，存儲市場分別經歷了由 PC、功 能機、智能手機驅動的三輪上漲行情，2006 至 2022 年存儲市場復合增速約 5.6%，略高于半導體整體表現。分下游領域來看：PC、手機市場占據著 NAND 及 DRAM 產能的半壁江山，隨著終端配置升級位元需求穩中有進。 以 AIGC 為代表的高算力應用場景驅動存儲器容量顯著提升，據美光測算， AI 服務器中 DRAM/NAND 用量分別為傳統服務器的 8 倍/3 倍；同時亦催生 了更高性能的新型存儲器的海量需求，HBM 突破了內存容量與帶寬瓶頸，被 視為新一代 DRAM 解決方案，成為 AI 時代不可或缺的關鍵技術，海外巨頭 領銜，未來國內存儲廠商有望積極跟進，產業鏈配套全面升級。而隨著汽車 智能化的發展，車載存儲有望實現大踏步升級，CFM 閃存市場預計，至 2030 年汽車存儲市場規模有望以超過 20%的復合增速躍過 200 億美元大關。

供給端：原廠減產并削減資本開支，供需再平衡有望于 23H2 實現。存儲芯 片標準化程度高，產品可替代性強，價格彈性大，受下游需求影響較為明 顯，導致存儲芯片價格周期性特征尤為明顯。2022 年以來，受消費電子市場 持續疲軟影響，存儲芯片市場持續低迷，在市場需求不明朗、庫存高漲、業 績普遍虧損等因素疊加影響下，各大原廠紛紛出臺減少產出、降低投資、放 緩技術升級等措施來調節供需關系緩解價格下降趨勢。目前，終端市場庫存 已逐漸降至健康水位，主流 DRAM/NAND 現貨報價均位于歷史低位，下行 空間有限。隨著 Q3 主要 PC&智能手機廠商新品上市，國內服務器市場陸續 交付，Q1 淡季減產 Q3 旺季生效，以及近一年來行情調整下庫存壓力的逐步 釋放，存儲行情或最快在 23Q3 企穩。

美光在華審查未通過，國產替代進程有望加速。因美光公司產品存在較嚴重 網絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影 響我國國家安全，網絡安全審查辦依法對美光在華銷售產品進行了網絡安全 審查，我國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。美光與 中國總部客戶相關的銷售額中約有一半可能受到此次網絡安全調查的影響， 占其全球收入的“低兩位數百分比”。隨著經濟數字化轉型，云計算、物聯 網、AI、大數據等技術的發展，國內對信息安全可靠和自主可控的需求不斷 增加，存儲產品作為數據中心的重要組成部分，存儲安全也上升到國家戰略 地位。國內存儲產業發展的必要性不容置疑，自主可控大勢所趨。